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美國(guó)AGI PbS硫化鉛探測(cè)器 詳細(xì)摘要： 美國(guó)AGI PbS硫化鉛探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在1.0-3.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）、前置...
產(chǎn)品型號(hào)：LD-PbS 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-04-20 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
美國(guó)EOS Si探測(cè)器（0.2-1.1um） 詳細(xì)摘要： 硅光電探測(cè)器是光電器件重要的的組成部分，是可見(jiàn)光和近紅外波段主要的探測(cè)器。硅的探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有...
產(chǎn)品型號(hào)：LD-S/UVS系列 所在地：西安市 更新時(shí)間：2019-12-04 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
德國(guó)IFW碳化硅紫外探測(cè)器 詳細(xì)摘要： 紫外探測(cè)器件對(duì)可見(jiàn)光和紅外光光譜區(qū)域也沒(méi)有響應(yīng)，這也就有效避免了其他光源干擾。相比較于光電倍增管和采用硅材料制備的增強(qiáng)型紫外探測(cè)器，SiC材料具有其*的電學(xué)特性...
產(chǎn)品型號(hào)：LD-JIC系列 所在地：西安市 更新時(shí)間：2019-12-04 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um） 詳細(xì)摘要： vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制冷...
產(chǎn)品型號(hào)：PEM-n 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 10000 在線留言 -
vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um） 詳細(xì)摘要： vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制...
產(chǎn)品型號(hào)：PV-n 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 10000 在線留言 -
vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um） 詳細(xì)摘要： vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um），波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，...
產(chǎn)品型號(hào)：PV-2TE-13 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 10000 在線留言 -
美國(guó)infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um） 詳細(xì)摘要： 美國(guó)infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and ...
產(chǎn)品型號(hào)：MCT-1.0 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 10000 在線留言 -
美國(guó)infrared銻化銦光電探測(cè)器（1um-5.5um） 詳細(xì)摘要： InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and InSb紅外探測(cè)器.公司成立時(shí)總部位于新澤西,美國(guó)infrared銻化銦光電探...
產(chǎn)品型號(hào)：LD-IS-010 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 5000 在線留言 -
美國(guó)EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um） 詳細(xì)摘要： 美國(guó)EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）:簡(jiǎn)介：在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）...
產(chǎn)品型號(hào)：LD-IS-010 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 1500 在線留言 -
美國(guó)GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um） 詳細(xì)摘要： GPD公司介紹美國(guó)GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um），GPD成立于1973年，主要提供，鍺P-N、P-I-N、APD以及銦鎵砷高速P-...
產(chǎn)品型號(hào)：LD-GAP1000 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 1000 在線留言 -
美國(guó)GPD鍺Ge光電探測(cè)器（0.5um-1.8um） 詳細(xì)摘要： 美國(guó)GPD鍺Ge光電探測(cè)器（0.5um-1.8um）GPD公司介紹GPD成立于1973年，主要提供，鍺P-N、P-I-N、APD以及銦鎵砷高速P-I-N管、大面...
產(chǎn)品型號(hào)：LD-GM 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-25 參考價(jià)：¥ 600 在線留言 -
紫外碳化硅SiC光電探測(cè)器（190nm-400nm） 詳細(xì)摘要： IFW成立于1981年，是專業(yè)生產(chǎn)SIC紫外探測(cè)器的一家公司，擁有20多年的歷史。產(chǎn)品種類，多達(dá)100多種，相對(duì)于Si，金剛石薄膜，TiO2，鉆石等紫外探測(cè)器，...
產(chǎn)品型號(hào)：JEA系列 所在地：西安市 更新時(shí)間：2016-08-24 參考價(jià)：¥ 200 在線留言